BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC023N08NS5SCATMA1 מאת Infineon ו BSZ130N03LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C (junction)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר