BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC023N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں