BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil BSC023N08NS5SCATMA1 dari Infineon dan BSZ130N03LSGATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Suhu Hubung Kerja -55 °C to +175 °C —
Paket PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Arus Alir Berlanjut (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Rentang Suhu Kerja — -55 C to +150 C (junction)
Level MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Bebas Halogen — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon