BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC023N08NS5SCATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSZ130N03LSGATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Arus Kumpal Tetap (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Gambaran Suhu Operasi — -55 C to +150 C (junction)
Aras MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Boson Bebas — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga