BSC027N04LSGATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L019ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC027N04LSGATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
تبديد القدرة (TC=25°C) 83 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-33
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى المحيط — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر