BSC027N04LSGATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7L019ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7L019ATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1 - 40V 1.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L019ATMA1 - 40V 1.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L019ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC027N04LSGATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
اتلاف توان (TC=25°C) 83 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-33
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
سطح MSL 1 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
دمای کاری — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
مقاومت حرارتی، اتصال به محیط — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت