BSC027N04LSGATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L019ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC027N04LSGATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-33
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
Jantten Ortama Termal Direnç — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin