BSC072N08NS5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC072N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و IPT015N10N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC072N08NS5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Configuration — Single
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر