BSC0921NDIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N04LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC0921NDIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 25V (N-channel) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (per channel) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 31 A (per channel, package-limited) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| العلبة | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per Infineon OptiMOS family) | 1 (unlimited) |
| Primary Application | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |