BSC0921NDIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0921NDIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0921NDIATMA1 BSC014N04LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
پیکیج PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per Infineon OptiMOS family) 1 (unlimited)
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — OptiMOS 5
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں