BSC0921NDIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0921NDIATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0921NDIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 25V (N-channel) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (per channel) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 31 A (per channel, package-limited) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Paket | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (junction) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per Infineon OptiMOS family) | 1 (unlimited) |
| Primary Application | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |