BSC097N06NSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC097N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC097N06NSATMA1 BSC0921NDIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] 31 A (per channel, package-limited)
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 25V (N-channel)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (Unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
العلبة — PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر