BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSD214SNH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSD214SNH6327XTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at 25C | 1.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 500 mW | — |
| Gate Drive Voltage (Rds On rated) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Rds On (Max) @ Vgs=4.5V | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] | — |
| Rds On (Max) @ Vgs=2.5V | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] | — |
| Vgs(th) (typical) | [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] | — |
| العلبة | SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Standard Pack Quantity | 3000 (Tape & Reel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (logic level, rated) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |