BSF134N10NJ3GXUMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSF134N10NJ3GXUMA1 بواسطة Infineon و BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSF134N10NJ3GXUMA1 BSC0921NDIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
العلبة MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel MOSFET Array
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per Infineon OptiMOS family)
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 25V (N-channel)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر