BSF134N10NJ3GXUMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSF134N10NJ3GXUMA1 tarafından Infineon ve BSC0921NDIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSF134N10NJ3GXUMA1 BSC0921NDIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
Paket MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode Dual N-Channel MOSFET Array
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per Infineon OptiMOS family)
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 25V (N-channel)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin