BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSO613SPVGXUMA1 بواسطة Infineon و BSP135H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSO613SPVGXUMA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | P-Channel | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -3.44 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| العلبة | PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS (Trench) | SIPMOS (planar DMOS) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) | -55C to +150C (junction, typical) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] | — |
| مستوى MSL | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon OptiMOS family) | — |
| عدد الأطراف | 8 (6 active, 2 thermal/NC) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |