BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSO613SPVGXUMA1 tarafından Infineon ve BSP135H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSO613SPVGXUMA1 BSP135H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Paket PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) SIPMOS (planar DMOS)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) -55C to +150C (junction, typical)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] —
MSL Seviyesi MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Pin Sayısı 8 (6 active, 2 thermal/NC) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin