BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSO613SPVGXUMA1 द्वारा Infineon और BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSO613SPVGXUMA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -3.44 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS (Trench) | SIPMOS (planar DMOS) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) | -55C to +150C (junction, typical) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] | — |
| MSL स्तर | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon OptiMOS family) | — |
| पिन काउंट | 8 (6 active, 2 thermal/NC) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |