BSP125H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP125H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS214NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP125H6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | AEC-Q101 (Automotive) |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Lead-Free | — | Yes |