BSP125H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS214NWH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP125H6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP125H6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (Unlimited) —
Qualification Automotive / Industrial grade AEC-Q101 (Automotive)
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں