BSP125H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP125H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS214NWH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP125H6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | AEC-Q101 (Automotive) |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Lead-Free | — | Yes |