BSP125H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP125H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS214NWH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP125H6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP125H6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (Unlimited) —
Qualification Automotive / Industrial grade AEC-Q101 (Automotive)
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট