BSP88H6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS169H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP88H6327XTSA1 | BSS169H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | 170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 360 mW (Ta) |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | Depletion-mode vertical DMOS |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) Maximum | — | 6 Ohm at VGS=0 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Drain Current at 25C | — | 170 mA continuous |
| Typical RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] |