BSP88H6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP88H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS169H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP88H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 360 mW (Ta)
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
پن کی تعداد — 3
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں