BSP88H6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS169H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP88H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 360 mW (Ta)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Pin Sayısı — 3
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin