BSS138L vs BSS138LT1G مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS138L بواسطة onsemi و BSS138LT1G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS138L | BSS138LT1G |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | onsemi |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| VDS Drain-Source Voltage | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 200 mA | — |
| Power Dissipation (Ta) | 350 mW | — |
| RDS(on) Max | 3.5 ohm | — |
| Technology | Trench MOSFET, high cell density | — |
| Gate Type | Logic Level | — |
| العلبة | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Switching Performance | Fast switching, rugged, reliable | — |
| سعة الدخل | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| VGS Gate-Source Voltage | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | 3000 units per reel (tape and reel) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 200 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 225 mW (Ta) |
| On-Resistance Max (RDS(on)) | — | 3.5 ohm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Product Family | — | BSS138LT Series Small Signal MOSFET |
| Typical Applications | — | Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters |