BSS138L vs BSS138LT1G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138L द्वारा onsemi और BSS138LT1G द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS138L | BSS138LT1G |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| VDS Drain-Source Voltage | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 200 mA | — |
| Power Dissipation (Ta) | 350 mW | — |
| RDS(on) Max | 3.5 ohm | — |
| Technology | Trench MOSFET, high cell density | — |
| Gate Type | Logic Level | — |
| पैकेज | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Switching Performance | Fast switching, rugged, reliable | — |
| इनपुट कैपेसिटेंस | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| VGS Gate-Source Voltage | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | 3000 units per reel (tape and reel) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 200 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 225 mW (Ta) |
| On-Resistance Max (RDS(on)) | — | 3.5 ohm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Product Family | — | BSS138LT Series Small Signal MOSFET |
| Typical Applications | — | Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters |