BSS138LT1G vs BSS138LT1G-VB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS138LT1G بواسطة onsemi و BSS138LT1G-VB بواسطة VBsemi Elec. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS138LT1G BSS138LT1G-VB
العلامة التجارية onsemi VBsemi Elec
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
العلبة SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Drain Current (Id) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 225 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: RDS(on)]
Drive Voltage — [DATA_NEEDED: drive voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Manufacturer — VBsemi Elec
Equivalent To — onsemi BSS138LT1G

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر