BSS138LT1G vs BSS138LT1G-VB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS138LT1G بذریعہ onsemi اور BSS138LT1G-VB بذریعہ VBsemi Elec. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS138LT1G BSS138LT1G-VB
برانڈ onsemi VBsemi Elec
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
پیکیج SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Drain Current (Id) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 225 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: RDS(on)]
Drive Voltage — [DATA_NEEDED: drive voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Manufacturer — VBsemi Elec
Equivalent To — onsemi BSS138LT1G

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں