BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS214NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSS308PEH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| نوع الترانزستور | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 1.5 A (Ta) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction) |
| العلبة / الحالة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | AEC-Q101 (Automotive) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Technology | — | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| العلبة | — | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |