BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS308PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS214NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS308PEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 1.5 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
Paket / Kas PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Paket — SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin