BSZ018NE2LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ018NE2LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ018NE2LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
العلبة PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر