BSZ018NE2LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ018NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC020N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ018NE2LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin