BSZ018NE2LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ018NE2LSATMA1 מאת Infineon ו BSC020N03LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ018NE2LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
מארז PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
מארז / Case — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר