BSZ018NE2LSIATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ018NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon و IAUC90N10S5N062ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ018NE2LSIATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر