BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ110N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N009ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ110N08NS5ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | Single N-Channel |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |