BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ110N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7N009ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ110N08NS5ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET Single N-Channel
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট