BSZ110N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ110N08NS5ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET Single N-Channel
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں