BSZ15DC02KDHXTMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ15DC02KDHXTMA1 بواسطة Infineon و BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ15DC02KDHXTMA1 BSD235CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ15DC02KDHXTMA1 —
نوع الترانزستور N-Channel + P-Channel (complementary pair) —
Technology OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch) OptiMOS™ low-voltage
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.2 A 530 mA (negative polarity)
N-Channel RDS(on) Max [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm] —
P-Channel RDS(on) Max 55 mOhm (per Infineon part summary) —
Gate Drive Level Super Logic level, 2.5 V rated —
Configuration Common drain (back-to-back source pair) N+P complementary dual MOSFET
Total Package Power Dissipation (PD) 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes / RoHS compliant —
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
حالة RoHS — Compliant (lead-free)
مستوى MSL — 1
عدد الأطراف — 6

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر