BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ215CHXTMA1 بواسطة Infineon و BSZ0901NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ215CHXTMA1 BSZ0901NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS OptiMOS 25V
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS trench N-channel MOSFET
العلبة PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
عدد الأطراف — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر