BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ215CHXTMA1 tarafından Infineon ve BSZ0901NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ215CHXTMA1 BSZ0901NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS OptiMOS 25V
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Paket PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Pin Sayısı — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin