BTS3011TEATMA1 vs BTS500801TEAAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3011TEATMA1 بواسطة Infineon و BTS500801TEAAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS3011TEATMA1 BTS500801TEAAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A 10 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
العلبة PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab)
عدد الدبابيس 5 (4 + Tab) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Current sense (IS pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — Classic PROFET (smart high-side switch)
البنية الطوبولوجية — 1:1 N-Channel high-side
Nominal Supply Voltage — 12 V
Load Supply Voltage Range — 4.5 V to 28 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 10 milliohms (typical)
تكوين الخرج — High-side
Fault Protection — Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tape & Reel
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100 target application)
Power Transistor Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر