BTS3011TEATMA1 vs BTS500801TEAAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTS3011TEATMA1 מאת Infineon ו BTS500801TEAAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTS3011TEATMA1 BTS500801TEAAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A 10 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
מארז PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab)
מספר פינים 5 (4 + Tab) —
טמפרטורת צומת פעולה -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Current sense (IS pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Family — Classic PROFET (smart high-side switch)
טופולוגיה — 1:1 N-Channel high-side
Nominal Supply Voltage — 12 V
Load Supply Voltage Range — 4.5 V to 28 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 10 milliohms (typical)
תצורת מוצא — High-side
Fault Protection — Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tape & Reel
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100 target application)
Power Transistor Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר