BTS3011TEATMA1 vs BTS500801TEAAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BTS3011TEATMA1 tarafından Infineon ve BTS500801TEAAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BTS3011TEATMA1 BTS500801TEAAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A 10 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Paket PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab)
Pin Sayısı 5 (4 + Tab) —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Current sense (IS pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — Classic PROFET (smart high-side switch)
Ağ Yapısı — 1:1 N-Channel high-side
Nominal Supply Voltage — 12 V
Load Supply Voltage Range — 4.5 V to 28 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 10 milliohms (typical)
Çıkış Konfigürasyonu — High-side
Fault Protection — Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tape & Reel
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100 target application)
Power Transistor Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin