BTS3110NHUMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3110NHUMA1 بواسطة Infineon و BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS3110NHUMA1 BSP316PH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 —
Switch Type N-Channel (1:1) —
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) —
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
عدد الدبابيس — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر