EP3SE260F1152C3N vs EP3SE260F1152C4N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260F1152C3N بواسطة Intel و EP3SE260F1152C4N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE260F1152C3N EP3SE260F1152C4N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
Series Stratix III E Stratix III E
Logic Elements / Cells 255,000 —
Embedded Memory Bits 16,672,768 bits —
Logic Array Blocks (LABs) 10,200 —
User I/O Count 744 —
العلبة 1152-BBGA, FCBGA 1152-ball FC-FBGA (flip-chip)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 65 nm 65 nm CMOS
Core Voltage 1.1 V 1.1 V
درجة حرارة التشغيل 0 C to +85 C (Commercial) 0C to +85C (commercial, 'C' suffix)
Transceivers Integrated high-speed transceivers —
DSP Blocks Yes (dedicated multiplier/accumulator) —
Embedded Memory Type TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM) —
External Memory Support DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II —
Configuration Modes AS, AP, PS, FPP, JTAG —
Partial Reconfiguration Supported —
Programmable Power Technology Yes (up to 50% dynamic power reduction) —
حالة RoHS Compliant —
Family — Stratix III (Enhanced)
Logic Elements (LEs) — 255,000
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
Maximum User I/Os — 744
Number of LABs/CLBs — 10,200
DSP / 18x18 Multipliers — 768 embedded multipliers
Maximum Operating Frequency — 450 MHz
Speed Grade — -4 (commercial temperature)
Packaging — Tray
Lead-Free / RoHS — Lead-free finish (RoHS compliant per distributor listing)
نوع الذاكرة — SRAM-based, volatile (requires configuration device)
Configuration — External EPCS / enhanced configuration via AS, PS, JTAG, or FPP
Product Status — Obsolete (per Xecor cross-reference data)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر