EP3SE260H780C2N vs EP3SE260H780C3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260H780C2N بواسطة Intel و EP3SE260H780C3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Intel
EP3SE260H780C2N EP3SE260H780C2N - Stratix III E FPGA 255K LE, 780-BGA | Intel

EP3SE260H780C2N - Stratix III E FPGA 255K LE, 780-BGA | Intel

EP3SE260H780C2N ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE260H780C2N EP3SE260H780C3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة آخر فرصة للشراء نشط
Series Stratix III E Stratix® III E
Logic Elements 255,000 —
LABs / CLBs 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 —
User I/O Count 488 —
Number of Transceivers [DATA_NEEDED: transceiver count] —
Core Voltage 0.9 V —
العلبة 780-BGA FCBGA 780-BBGA, FCBGA (H780)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل Commercial (0C to +85C) —
Speed Grade C2 —
مستوى MSL 3 (168 hours) —
Reflow Peak Time Max 40 s —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] Compliant (lead-free 'N' suffix)
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free] —
Package Code BGA —
Terminal Form Ball —
Number of Terminals 780 —
Process Node 40 nm —
Logic Elements (LE) — 255,000
Embedded Memory (bits) — 16,672,768
Number of LABs/CLBs — 10,200
User I/Os — 488
Number of Pins / Balls — 780
درجة حرارة التشغيل — 0 °C to +85 °C (C grade, commercial)
Process Technology — 40 nm CMOS
Maximum Core Frequency — [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz]
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V]
Transceivers — [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate]
DSP Blocks — [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision]
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]
Configuration Method — SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel
Design Toolchain — Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر