EP3SE260H780C3N vs EP3SE260H780C3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260H780C3N بواسطة Intel و EP3SE260H780C3 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE260H780C3N EP3SE260H780C3
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط نشط
Series Stratix® III E EP3SE
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 488
Number of Pins / Balls 780 —
العلبة 780-BBGA, FCBGA (H780) 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA)
درجة حرارة التشغيل 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) Commercial, 0C to +85C
Process Technology 40 nm CMOS 65 nm CMOS
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] 500 MHz
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] —
حالة RoHS Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant (per product listings)
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] 3 (168 hours)
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Device Family — Stratix III Enhanced (Stratix III E)
Logic Elements — 255,000
Logic Array Blocks (LABs) — 10200
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
Operating Voltage (Core) — 0.9 V
Operating Voltage (Auxiliary) — 1.1 V
Speed Grade — C3
Packaging Type — Tray
Configuration Memory Support — Fast passive parallel, JTAG, Active Serial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر