EP3SE260H780C3N vs EP3SE260H780C3 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3SE260H780C3N tarafından Intel ve EP3SE260H780C3 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP3SE260H780C3N EP3SE260H780C3
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Series Stratix® III E EP3SE
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 488
Number of Pins / Balls 780 —
Paket 780-BBGA, FCBGA (H780) 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
İşletim Sıcaklığı 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) Commercial, 0C to +85C
Process Technology 40 nm CMOS 65 nm CMOS
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] 500 MHz
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] —
RoHS Durumu Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant (per product listings)
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] 3 (168 hours)
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Device Family — Stratix III Enhanced (Stratix III E)
Logic Elements — 255,000
Logic Array Blocks (LABs) — 10200
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
Operating Voltage (Core) — 0.9 V
Operating Voltage (Auxiliary) — 1.1 V
Speed Grade — C3
Packaging Type — Tray
Configuration Memory Support — Fast passive parallel, JTAG, Active Serial

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin