EP3SE50F484C3N vs EP3SE50F484C3G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE50F484C3N بواسطة Intel و EP3SE50F484C3G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE50F484C3N EP3SE50F484C3G
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة Obsolete NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Device Logic Elements 47,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 1,900 —
Adaptive Logic Modules (ALMs) 18,750 19,000
Embedded Memory (Bits) 5,760,000 —
User I/Os 296 —
Maximum Internal Frequency 717 MHz (typical); 800 MHz per DigChip —
Process Technology TSMC 40 nm low-power CMOS —
العلبة 484-ball FBGA (FCBGA), 1.0 mm pitch 484-ball FCBGA (F484), 1.0 mm pitch
جهد التغذية Core and I/O voltages per Stratix III E datasheet —
درجة حرارة التشغيل 0C to +85 C (commercial, C suffix) 0C to +85C (commercial, "C")
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount
مستوى MSL 3 (per JEDEC J-STD-020 for FCBGA packages) —
حالة RoHS Lead-free (per DigiKey listing) Compliant (lead-free)
Configuration Mode Passive Serial, Fast Passive Parallel, Fast Active Serial, JTAG —
Design Software Intel Quartus II (Stratix III support) —
حالة دورة الحياة Obsolete (per Worldway listing 2026-04-05) —
Logic Elements — 47,500
Total Embedded Memory — 5,760,000 bits (5.76 Mbit)
M9K Memory Blocks — 320 (2,304 Kbits)
M144K Memory Blocks — 12 (1,728 Kbits)
User I/O Pins — 296
18x18 Multipliers — 384
PLLs — 4
Global Clock Networks — 16
Speed Grade — C3
Process Node — 65 nm TSMC low-power
Core Voltage — 1.1 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر